এক খন্ড পি-টাইপ সেমিকন্ডাকটর এবং এক খন্ড এন-টাইপ সেমিকন্ডাকটরকে পরস্পরের ভৌত সংস্পর্শে এনে সংযোগ সৃষ্টি করলে পিএন জাংশনের প্রকৃত গুণাবলী পাওয়া সম্ভব নয়। এজন্য বিশেষ কৌশল অবলম্বনে পিএন জাংশন ফেব্রিকেট করা হয়। পিএন জাংশন সৃষ্টির একটি সাধারণ পদ্ধতি হলো (Alloying) সংকরায়ন। এই পদ্ধতিতে একটি ত্রি-ভ্যালেন্ট ইমপিউরিটি পদার্থের টুকরো একটি এক্সট্রিনসিক এন-টাইপ সেমিকন্ডাকটর স্ল্যাবের উপর স্থাপন করা হয়। এরপর সিস্টেমটি প্রায় ৫০০ ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড তাপমাত্রায় উত্তপ্ত করা হয়। উত্তাপের ফলে এন-টাইপ মিশ্রণে অবস্থিত পিওর সেমিকন্ডাকটরের কিছু অংশ গলেনের মাধ্যমে এন-টাইপ ইমপিউরিটি হতে পৃথক হয়ে ত্রি-ভ্যালেন্ট ইমপিউরিটি পদার্থের সাথে মিশ্রিত হয় এবং পি-টাইপ মিশ্রণ সৃষ্টি হয় যা গর্তের আকৃতিতে এন-টাইপ মিশ্রণের মধ্যে যায়গা দখল করে। যা চিত্রে দেখানো হয়েছে। অতঃপর তাপমাত্রা হ্রাস করা হয়, ফলে মিশ্রণটি জমে কঠিন হতে থাকে। সঠিক কন্ডিশনের অনুকূলে ত্রি-ভ্যালেন্ট ইম্পিউরিটির পরমানুসমূহ খাটি সেমিকন্ডাকটরের সাথে সুস্থিত হয়ে পি-টাইপ অঞ্চল সৃষ্টি করে এবং দুই প্রকার সেমিকন্ডাকটরের বিভেদতলে একক ক্রিস্টলের গঠনে পিএন জাংশন সৃষ্টি হয়।