Related Questions

Thermal runaway is not possible in FET because as the temperature of FET increases
A The mobility decreases
B The transconductance increases
C The drain current increases
D None of the above
FET উদ্ভাবন করেন?
A ইউনিপোলার
B বাইপোলার
C মাল্টিপোলার
D শূন্য পোলার
নীচের কোন তথ্যটি FET এর বৈশিষ্ট বহন করে না।
A FET এর অর্ন্তগামী প্রতিবন্ধকতা ( Input Impedence) কম।
B FET এর নয়েজ লেভেল কম থাকে
C FET এর Power gain বেশি।
D FET এর আকৃতি ক্ষুদ্র ও দক্ষতা বেশি
FET কি ধরনের ডিভাইস?
A Bi-polar
B Uni-polar
C A এবং B উভয়ই
D কোনটিই সত্য নয়
FET এর ক্ষেত্রে কোনটি সত্য?
A বাহক দুইটি
B বাহক একটি
C দুইট গেইট
D সুইচিং হিসেবে ব্যবহার করা যায় না
ফেট (FET) এর বৈশিষ্ট্য নয় কোনটি?
A ইনপুট রোধ বেশী
B কারেন্ট নিয়ন্ত্রিত কৌশল
C ইউপোলার
D ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রিত কৌশল
FET এর বৈশিষ্ট্য নয় কোনটি?
A ইনপুট রোধ বেশি
B কারেন্ট নিয়ন্ত্রণ কৌশল
C ইউনিপোলার
D ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রিত
"FET" is a type of transistor, Its full name is ________ Effect Transistor?
A Field
B Factor
C Flash
D Force
Asource follower using an FET usually has a voltage gain which is
A Greater than +100
B Slightly less than unity but positive
C Exactly unity but negative
D About -10
As compared to bipolar junction transistor, a FET
A Is less noisy
B Has better thermal stability
C Has higher input resistance
D All of the above

Next steps