2 Answers
অত্যাধিক পরিমানে ডোপিং কৃত সিলিকন বা জার্মেনিয়াম দ্বারা তৈরি P-N জাংশন ডায়োড বা রিভার্স বায়াস প্রয়োগে শার্প ব্রেকডাউন ভোল্টেজ প্রদর্শন করে তাকে জিনার ডায়োড বলে।

এটি প্রটেকটিভ ডিভাইস হিসেবে ওভার ভোল্টেজ প্রটেকশনে ব্যাবহার করা হয়। এটি সার্কিটে রিভার্স বায়াসে সংযোগ করা হয়। যখন নির্দিষ্ট ভোল্টেজ অতিক্রম করে, তখন ডায়োডের ব্রেক ডাউন ঘটে অতিরিক্ত ভোল্টেজ শর্ট সার্কিটের মাধ্যমে গ্রাউন্ড হয়ে যায়।

জিনার ডায়োড হলো এক মাত্র ডায়োড, যা রিভার্স বায়াসে কাজ করে অর্থাৎ এটির নেগেটিভ টার্মিনাল কে সার্কিটের পজেটিভ টার্মিনাল এ এবং পজেটিভ টার্মিনাল কে সার্কিটের নেগেটিভ টার্মিনালে সংযুক্ত করা হয়। প্রতিটি জিনার ডায়োড কে তৈরির সময় একটি নিদিষ্ট ব্রেক ডাউন ভোল্টেজ এ তৈরি করা হয়(3v,5.1v,6v,6.8v,12.8v)। এর ফলে এর আড়াআড়ি ভোল্টেজ ব্রেক ডাউন ভোল্টেজ অপেক্ষা বেশি হলে, এ ব্রক ওভার ভোল্টেজ কে জিনার ডায়োড তার ভিতর দিয়ে বাইপাস করে দেয় । এ নীতির উপর ভিত্তি করে একে ওভার ভোল্টেজ প্রোটেক্টর, ভোল্টেজ রেগুলেটর, ওভার চার্জিং প্রোটেক্টর ইত্যাদিতে ব্যবহার করা হয় ।