Bissoy.com
Doctors Medicines MCQs Q&A

Related Questions

কোন ট্রানজিস্টরের কমন বেস সার্কিটে এমিটর কারেন্ট 100μA     থেকে 150μA এ উন্নীত করায় কালেক্টর কারেন্ট   98μA      থেকে 147μA    উন্নীত হল। কারেন্ট অ্যামপ্লিফিকেশন ফ্যাক্টর এবং কারেন্ট গেইন নির্ণয় কর।
একটি ট্রানজিস্টরে বেস কারেন্ট 100µA এবং কারেন্ট। গেইন 100 হলে কালেক্টর কারেন্ট কত?
দুটি তারের ভিতর দিয়ে I এবং কারেন্ট বিপরীত দিক দিয়ে প্রবাহিত হলে এরা-
কোন কমন-বেস-ট্রানজিস্টর বিন্যাসে এমিটর কারেন্ট 1.2mA এবং কালেক্টর কারেন্ট 9.0 ×10-4 A  হলে, বেস কারেন্ট কত?
একটি ট্রানজিস্টরের কমন বেস সার্কিট এমিটার কারেন্ট 100μA থেকে 150μA এ উন্নীত করায় কালেক্টরের কারেন্ট 98μA থেকে 147 μA উন্নীত করা হলো। কারেন্ট গেইন নির্ণয় কর।
একটি ট্রানজিস্টরের কমন বেস সার্কিট এমিটার কারেন্ট 100μA থেকে 150μA এ উন্নীত করায় কালেক্টরের কারেন্ট 98μA থেকে 147 μA উন্নীত করা হলো। কারেন্ট গেইন নির্ণয় কর।
২২০ ভোল্ট ৪৪০ ওয়াটের একটি বৈদ্যুতিক বাতির ভিতর দিয়ে কী পরিমাণ কারেন্ট প্রবাহিত হবে?
একটি 220 V-44 W বাল্বের ভিতর দিয়ে কী পরিমাণ কারেন্ট প্রবাহিত হবে?
1000 পাক বিশিষ্ট একটি একটি কয়েলের ভিতর দিয়ে 2.5 অ্যাম্পিয়ার কারেন্ট প্রবাহিত হয়ে0.5×10-13 ওয়েবার ফ্রাক্স তৈরী করে। কয়েলের উনডাক্টেন্স (স্বকীয় আবেশ গুনাঙ্ক ) কত?
Silicon devices can be employed for a higher temperature limit (190°C to 200°C) as compared to germanium devices (85°C to 100°C). With respect to this, which of the following are incorrect? 1) Higher resistivity of silicon 2) Higher gap energy of silicon 3) Lower intrinsic concentration of silicon 4) Use of silicon devices in high-power applications Select the correct answer using the code given below: